반도체 측정 및 검사

박막두께 측정시스템 (SE,SR)

메탈박막 측정 시스템

Wafer 표면 검사 시스템

Wafer 3D 측정 시스템

Wafer 두께측정 시스템

면저항측정기

평탄도측정 시스템

초정밀 Xray 3D CT scan

Measurement

박막두께 측정시스템 SE,SR

■ Model AS-TEO, AS-TRC

● 적용 분야 : Wafer, Display, Thin Film, 시료분석, 바이오센서, 태양광 박막, 약물 코팅 etc

● 측정 항목 : Å ~ ㎛ 범위의 단층 및 다층 박막의 두께 측정

Model : AS-TEO, AS-TRC	Beam Diameter	120㎛ * 300㎛
	Spectral Range	245m to 1000m (Option:~ 1700nm)
	UV Spectrometer	1.6nm pixel resolution, ~5nm
	NIR Spectrometer	3.2m pixel resolution, ~10m bandwidth (NIR)
	옵션	SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
	Fast Camera Sample Alignment

■ Full Auto Mapping Thin-Film Measurement System (Ellipsometer or Reflectometer)

Measurement

메탈박막 측정 시스템

■ Micro XRF System

■ Model : AS-TXR

● 측정 대상 : 메탈박막, 도금, 코팅 두께 측정, 물질의 조성비 측정

● 측정 항목 : 소재 포함 총 5층(각 층의 10개 원소), 25개 원소의 동시 측정

Model: AS-TXR	웨이퍼 사이즈	4~12inch
	X-ray	50W Mo target with Capillary Optics
	Beam spot size	7.5㎛ FWHM
	검출기	Larger Window, 70mm2, high flux SDD with 135eV resolution
	초점거리	~ 0.5 mm (0.02inch)
	비디오 배율	매크로 – 45x (5x digital zoom)
		마이크로 – 150x
	옵션	SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
	응용분야	Wafer, Display, Thin Film, Bump, RoHs, 중금속분석, 성분분석, 불순물함량분석, 식품 미량 원소 분석, 치과용 재료분석, 배터리 전극 재료 분석 etc.

웨이퍼 패드, 솔더 범프 혹은 SMD에 코팅된 직경이 30μm인 Au,Ni, Sn, SnAg, Cu 및 기타 금속의 도금 두께를 정확하게 측정 할 수 있습니다.

■ Micro XRF System

반도체

반도체 Wafer 표면검사

■ Deep Learning - Wafer inspection System

■ Model : AS-WIS

• 검사 대상 : Si Wafer, Glass Wafer, Sapphire Wafer
• 검사 항목 : 표면 얼룩, 스크레치, Edge Chipping, Size 검사
• Wafer Size : 4~12 inch
• 옵션 : SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능

– AI 딥러닝 알고리즘 & 멀티조명 기술을 활용한 최상의 얼룩 검출

Model : AS-WIS	검사 대상	Si Wafer, Glass Wafer, Sapphire Wafer
	검사 항목	표면 얼룩, 스크레치, Edge Chipping, Size 검사
	Wafer Size	4 ~ 12inch
	옵션	SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능

– 360도 멀티조명 및 이미지 프로세싱 기술을 활용한 최상의 연마불량, 얼룩 검출

Result ( 광학필터처리만 )

After_Processing

– 360도 자유 조명 및 표면 속성 이미징
단 하나의 센서로 지금까지 불가능했던 검사를 수행할 수 있습니다.

반도체

Wafer 3D 측정 시스템

■ ▣ 웨이퍼 Bow, Warp, TTV 및 두께 측정 모니터링

■ 특징

웨이퍼 Bow, Warp, TTV(총 두께 변동), 두께 측정은 반도체 제조에서 웨이퍼의 평탄도와 균일성을 평가하는 중요한 요소입니다. 각 항목의 의미는 다음과 같습니다.
Bow: 웨이퍼 중심에서 가장자리까지의 굴곡 정도를 측정한 값입니다. 웨이퍼가 얼마나 휘어 있는지를 나타내며, 평탄도가 중요한 공정에서는 Bow 수치가 낮을수록 좋습니다.
Warp: 웨이퍼가 비틀어진 정도를 나타내며, Bow와 비슷하지만 웨이퍼 전체에서 휘어짐을 측정합니다. 웨이퍼의 전반적인 기하학적 평탄성을 평가하는 데 사용됩니다.
TTV (Total Thickness Variation): 웨이퍼의 가장 얇은 부분과 가장 두꺼운 부분 간의 두께 차이를 나타냅니다. TTV는 웨이퍼의 균일한 두께가 필요한 공정에서 중요한 평가 지표입니다.
두께 측정: 웨이퍼의 평균 두께를 측정하여 균일성과 정확성을 평가합니다.
이 측정 모니터링은 반도체 제조 공정의 품질을 유지하고, 후속 공정에서의 불량을 줄이기 위해 필수적입니다. Bow, Warp, TTV, 두께 값이 적절해야 이후 공정에서 웨이퍼가 문제 없이 처리될 수 있습니다.

EFFICIENT

정밀함
신속함
비접촉

VERSATILE

오프라인 및 인라인 품질 관리를 위한 고속 영역 검사
정의 가능한 스캔 모양과 필터를 사용한 간단한 POI 검사
반사 표면에서 최상의 결과를 위한 원심 이미징

USER-FRIENDLY & SAFE

간편한 통합
비파괴 측정
견고함
파일럿 레이저

■ 3 TECHNICAL SPECFICATIONS OF FLYING SPOT SCANNER

■ 스펙

스펙	Field of view [mm]	310	80	40
	Acceptance angle [°]	± 0.5	± 1	± 2.5
	Working distance [mm]	150	200	122
	Lateral Resolution [㎛]	30	20	6.5
	Dimensions (h x I x w )[mm]	700 × 370 × 370	288 × 114 × 201	235 × 101 x 201
	Weight	29 Kg
	Suited CHR controller	CHR 2IT DW	CHR 2IT, 2IT DW, 2LR	CHR 2IT, 2IT DW
	Availability	Beg. 2023	Fully available	Fully available

반도체

웨이퍼 두께측정 및 실시간 모니터링 시스템

■ Interferometric System

NCG는 인터페로메트리(간섭계) 기술을 기반으로 한 두께 측정기입니다.
레이어에서 반사된 일정한 광파는 측정 대상물의 경계에서 구분되어 각 레이어 두께를 측정합니다.
NCG는 다양한 종류의 부품인 유리, 플라스틱, 실리콘 웨이퍼 등의 두께를 제어하 도록 설계되었습니다. 적외선 광원을 이용하여 불투명 물질을 측정할 수 있습니다. 당사의 게이지는 기계 사이클 시간,
최종 제품의 품질을 개선 및 유지하고 주요 작업 단 계 전, 도중 또는 후에 프로세스를 제어하도록 설계되었습니다. NCG는 정확하고 빠 른 부품 두께 제어를 위해 모든 기계와 인터페이스 할 수 있는 고속 정밀 측정기입니다.
지정된 기술 사양 한도 내에서, 건조하거나 습한 환경에 관계없이 고정장치 또는 기계 내부에 설치하여 사용할 수 있습니다.

■ Model : AS-WTS

● 측정 대상 : Si Wafer, Sapphire Wafer, Glass Wafer

● 측정 항목 : Wafer 두께 측정

– 가공, 연마 중& 연마 후 측정 (실시간)
– 필름 부착 상태에서 측정가능

Model : AS-WTS	모델 별 측정 범위	S1 = 37~1850 µm
		S2 = 74~3700 µm
		T1 = 15~900 µm
		D2 = 60~3000 µm
	정확도	≤ 1 µm

반도체

반도체-Wafer 면저항측정

■ 표면 저항, 비저항 측정

반도체

디스플레이

■ Model : AS-SHR, AD-SHR

• 저항, 면저항, 비저항, 전도도 측정

• 측정 데이터 저장 (날짜, 샘플모델, 사용자 지정 선택)

Model : AS-SHR, AD-SHR		사용자 지정 포인트 저장 후 각 샘플 별 반복측정 기능
		Vision Aligner Camera
	Mapping	Wafer : 0~300mm, Display : 1100x1300mm
	측정 범위	1mΩ/sq. ~ 1GΩ/sq. , 10.0 μΩ·㎝ ~ 10.0 MΩ·㎝
		2D, 3D Graphic viewer.
	옵션	SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
	응용분야	Wafer, Display, Thin Film, 트랜지스터, 다이오드, 배터리 전극재료, 태양광 박막, 유기 박막, MEMS etc.

반도체

반도체-Wafer 평탄도 측정

■ 웨이퍼 평탄도 측정기 ( 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼)

산업용 다관절로봇 사용하여 사파이어 웨이퍼 이송

• 적용웨이퍼 : 4”, 6“
• 검사 카세트 10개 로딩 가능
• 불량 카세트 4개 로딩 가능
• 1 Cycle Time : ~ 15초 ( 평탄도측정장비 / 측정시간 5초 포함)
– 측정 데이터 실시간 양불 판정 가능
• 측정 화면 스크린샷하여 지정폴더에 저장
• MES 및 SPC 연동 가능

초정밀 Xray 3D CT scan

TI-X900s

TI-X700i

TI-X500s

TI-X900s

TI-X700i

TI-X500s

Measurement

차세대 고속처리&고해상도 3D CT X-ray 자동 검사 시스템

High Resolution Imaging
• By increasing the resolution compared to the previous model (from 0.25pm to 0.1 6um), the TI-X900s achieves higher resolution imaging and is suitable for inspection of cutting-edge semiconductors.
| High-definition 3D Imaging
• Clear, high-definition 3D images can be acquired thanks to XY stage positioning by high-precision linear scale.
| Capable of Handling Large Works
• The large table mechanism can accommodate up to 600 x 620 sizes of works, making it easy to observe the area you want to see.
Technology to improve the accuracy of automatic inspection
• Equipped with automatic warp compensation and alignment functions that follow the 2-direction, improving inspection accuracy.

		TI-X500s	TI-X500i
검사 보드	사이즈	최대 510(W) x 370(L) mm*1	최대 350(W) x 350(L) mm
	두께	최대 3 mm
	무게	최대 2 kg
	여유공간	상부 : 50 mm 하부 : 40 mm	상부 : 50 mm 하부 : 30 mm
검사 항목		2D : 투과 이미지를 이용한 부품 및 솔더 범프 검사 3D : 솔더 범프(BGA & C4) 및 CT 영상을 이용한 Planting-Filled TH 검사
X-ray	타입	Open tube micro focus
	전압	20~160 kV
	전류	0~200 μA
	최대 분해능	1 μm
검출기		3M pixels
촬영각도		0~60°
배율		최대 900배
영상배율	수직	최대 x225	최대 x100
영상배율	60° 기울여진 각도	최대 x112	최대 x50
분해능	수직	최대 0.33 μm	최대 0.75 μm
분해능	60° 기울여진 각도	최대 0.67 μm	최대 1.5 μm
전원 전압		Three-phase AC 200~240 V, 3 kVA
X-ray 누설량		0.5μSV/h or less
크기		1630(W) x 2240(D) x 1600(H) mm
무게		4500 kg

		TI-X900s
검사	Work 사이즈	30 x 30 ~ 600 x 620 mm
	FOW 사이즈	Fluoroscopy : 0.35 x 0.45 ~ 23.0 x 29 mm CT : Φ0.32 ~ 20.5 mm
	측정 영역	Fluoroscopy : 600 x 620 mm CT : 580 x 600 mm
X-ray		Micro focus spot open tube Diamond / LaB6
검출기		6.8M pixels
분해능		Fluoroscopy : 0.16 ~10.0 μm CT : 0.16 ~ 10.0 μm
CT 각도		45~60°
이미지 슬라이스 수		512 (최대 1000)
CT 스캔		8~360 shots
X-Y 이동		선형 모터 드라이브
Air supply		0.5~0.6Mpa (Φ8 tube or 20PM)
전원전압		Single phase AC200~240 V ±10%, 50/60 Hz
소비전력		10 kVA or less
설치 환경		22℃±2℃, 50%±10% PH
X-ray 누설량		0.5μSV/h or less
크기		1630(W) x 2200(D) x 1940(H) mm
무게		5500 kg

		TI-X700i
검사보드	사이즈	350 x 350 mm
	두께	최대 6 mm
	무게	최대 2.5 kg
	여유공간	상부 : 7 mm 하부 : 0 mm
검사 항목		2D : 투과 이미지를 이용한 부품 및 솔더 범프 검사 3D : 솔더 범프(BGA & C4) 및 CT 영상을 이용한 Planting-Filled TH 검사
X-ray	타입	Sealed Transmissive Microfocus Tube
	전압	40~110 kV
	전류	10~100 μA
	스팟 사이즈	2 μm
검출기		3.9M pixel
촬영각도		55°
영상배율	수직	최대 x71
영상배율	60° 기울여진 각도	최대 x71
분해능	수직	최대 0.7 μm
분해능	60° 기울여진 각도	최대 0.7 μm
전원 전압		Three-phase AC 200-240 V / 7 kVA / 50/60 Hz
X-ray 누설량		0.5μSV/h or less
크기		1630(W) x 2240(D) x 1600(H) mm
무게		4500 kg

반도체

반도체 측정 및 검사

Measurement

박막두께 측정시스템 SE,SR

■ Model AS-TEO, AS-TRC

■ Full Auto Mapping Thin-Film Measurement System (Ellipsometer or Reflectometer)

Measurement

메탈박막 측정 시스템

■ Micro XRF System

■ Model : AS-TXR

■ Micro XRF System

반도체

반도체 Wafer 표면검사

■ Deep Learning - Wafer inspection System

Result ( 광학필터처리만 )

Result ( 광학필터처리만 )

After_Processing

After_Processing

반도체

Wafer 3D 측정 시스템

■ ▣ 웨이퍼 Bow, Warp, TTV 및 두께 측정 모니터링

■ 특징

반도체

웨이퍼 두께측정 및 실시간 모니터링 시스템

■ Interferometric System

■ Model : AS-WTS

반도체

반도체-Wafer 면저항측정

■ 표면 저항, 비저항 측정

반도체

디스플레이

■ Model : AS-SHR, AD-SHR

반도체

반도체-Wafer 평탄도 측정

■ 웨이퍼 평탄도 측정기 ( 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼)

초정밀 Xray 3D CT scan

Measurement

0.16um의 세계 최고 분해능. High-end X-ray 검사 시스템 (TI-X900s)

■ 0.16um의 세계 최고 분해능. High-end X-ray 검사 시스템(TI-X900s)

Measurement

인라인 엑스레이 자동 검사 시스템 (TI-X700i)

■ 인라인 엑스레이 자동 검사 시스템 (TI0X700i)

Measurement

차세대 고속처리&고해상도 3D CT X-ray 자동 검사 시스템

■ 차세대 고속처리&고해상도 3D CT X-ray 자동 검사 시스템

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